一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来，并且沉降在基片表面，通过成膜过程（散点－岛状结构-迷走结构-层状生长）形成薄膜。

　　厚度均匀性主要取决于：

　　1. 基片材料与靶材的晶格匹配程度

　　2. 基片表面温度

　　3. 蒸发功率，速率

　　4. 真空度

　　5. 镀膜时间，厚度大小。

　　组分均匀性：

　　蒸发镀膜组分均匀性不是很容易保证，具体可以调控的因素同上，但是由于原理所限，对于非单一组分镀膜，蒸发镀膜的组分均匀性不好。

　　晶向均匀性：

　　1. 晶格匹配度

　　2. 基片温度

　　3. 蒸发速率